Производство полупроводников предъявляет чрезвычайно строгие требования к чистоте материала, термической устойчивости, устойчивости к плазменному травлению и механической точности. Благодаря высокому сопротивлению (>10¹⁴ Ω•см), высокой теплопроводимости, низкому тепловому расширению, отличной диэлектрической прочности и устойчивости к травлению плазмой фтором, нитрид кремния стал незаменимым точным керамическим компонентом в оборудовании для обработки пластин. По сравнению с алюминием и кварцем, компоненты нитрида кремния значительно снижают загрязнение частицами, продлевают интервалы обслуживания, повышают выходность и поддерживают более современные технологические узлы. В то же время их теплопроводность и прочность на высокие температуры позволяют нагревательным элементам реагировать быстрее и создавать более равномерное распределение температуры, что помогает полупроводниковому оборудованию развиваться к более высокой мощности и меньшему энергопотреблению.

Разработаны для высокотемпературных и чистых сред, таких как быстрая термическая обработка (RTP), нагреватели MOCVD и плазменные гравировочные пластины. Пластины с нитридом кремния могут изготавливаться как монолитные нагревательные элементы, нанося резистивную пасту на внутреннюю поверхность или поверхность керамических подложок, обеспечивая отличную термическую равномерность, быстрые скорости нагрева, устойчивость к коррозии и защиту от загрязнения металлами. По сравнению с традиционными металлическими нагревателями, нагревательные элементы на основе нитрида кремния обеспечивают более 20% более высокую тепловую эффективность, что позволяет более точно контролировать температуру процесса пластин и предотвращать загрязнение ионами металлов. Они подходят для использования в более требовательных процессах производства полупроводников следующего поколения.